Possible mechanism of formation, composition and structure of surface phase and near-surface damage crystal layers of semiconductor compounds depending on electrode potential value and water system pH was has been examined by the example of gallium arsenide. Taking into account the deviation degree from stoichiometric composition (homogeneity region) of a compound and diffusive representations the thickness of near-surface layer was estimated for the first time in connection with conditions of chemical treatment the material.

На примере арсенида галлия рассмотрен возможный механизм формирования, состав и строение поверхностного фазового и приповерхностного нарушенного кристаллического слоев полупроводниковых соединений в зависимости от величины электродного потенциала и pH водной системы. На основе учета степени отклонения от стехиометрического состава (области гомогенности) соединения и диффузионных представлений впервые проведена оценка толщины приповерхностного слоя в связи с условиями химической обработки материала.