Расчетная процедура, основанная на теории функционала электронной плотности, с обменнокорреляционным потенциалом Беке Ли Янга Парра в валентном базисе двухэкспонентных атомных орбиталей, каждая из которых представлялась в виде линейной комбинации функций гассовского типа, с учетом влияния остовных электронов путем введения соответствующего псвевдопотенциала применена к расчету энергетического спектра электронов одномерных диэлектрических структур (на примере полигидроксисилоксановых цепочек вида HO(Si(OH)2O)m-[Si(OH)2]-(OSi(OH)2)mOH) длиной несколько нанометров. Показано, что введение дефекта замещения «центральной» группы [Si(OH)2] на изовалентные группы вида −Э(ОН)− с атомами Э третьей группы периодической системы (Э: B, Al, Ga, In) приводит к образованию электроноакцепторных состояний (электронных ловушек), энергии которых лежат в запрещенной зоне, отвечающей идеальной (бездефектной) структуре. Проанализировано, какие изменения претерпевает спектр в ряду В  Al  Ga  In, а также при взаимодействии замещенных полигидроксисилоксановых цепочек с электронодонорными (на примере О=С

The calculation procedure based on the density functional theory with Becke-Lee-Yang-Parr exchangecorrelation potential was applied to calculate the energy spectrum of electrons in the one-dimensional dielectric structures of several nanometers length (on the example of polyhydroxysiloxan chains such type as HO(Si(OH)2O)m−[Si(OH)2]−(OSi(OH)2)mOH). The influence of core electron was introduced by the corresponding pseudopotential. It was shown that the isovalent groups of −E(OH)− type (E: B, Al, Ga, In) substitution for the «central» group [Si(OH)2] have become a reason for the formation of the electron-acceptor states (electron traps) with the energies appeared in the forbidden zone corresponding to the ideal (defect-free) structure. The changes occurred with energy spectrum in the row of B  Al  Ga  In and the changes as the result of the interaction of polyhydroxysiloxan chains with the electron-donor (on the example of O=C