In der Arbeit wird die Methodik der Untersuchung der energetischen Zustände in den harten Medien mit Hilfe der von des untersuchenden Stoffes von dünnen Dielektrikumschichte abgetrennten Halbleiter mit der bekannten Verteilung der energetischen Niveaus betrachtet. Es werden die theoretischen Grundlagen für die Modellierung des Resonanses nach den energetischen Niveaus, mit denen Hilfe man die verschiedenen Zusätze und auch die Nanoobjekte in den harten Stoffen auffinden und identifizieren kann.Dans larticle est envisagée la méthode de létude des états énergétiques dans les milieux solides à laide du semi-conducteur avec une certaine répartition des niveaux énergétiques séparé par une fine couche du diélectrique du matériel étudié. Sont décrites les bases théoriques pour le modélage de la resonance daprès les niveaux énergétiques à laide duquel lon pourrait découvrir et identifier de différents alliages y compris les nanoobjets dans les matéraux solides.This paper considers the method of investigation of energy conditions in solids by using a semiconductor with a known distribution of energy levels, separated by a thin dielectric layer from the examined material. The theoretical basis for simulation of resonance by energy levels is described; it enables to detect and identify various impurities, including nano-objects in solid materials.

Рассмотрена методика исследования энергетических состояний в твердых средах с помощью полупроводника с известным распределением энергетических уровней, отделенного тонким слоем диэлектрика от исследуемого материала. Описаны теоретические основы для моделирования резонанса по энергетическим уровням, с помощью которого можно обнаруживать и идентифицировать различные примеси, в том числе и нанообъекты в твердых материалах.