Показана возможность использования тонких пленок аморфного оксида ванадия в качестве резиста для электронно-лучевой нанолитографии. Разработаны научно-технические основы процессов нанесения резиста, экспонирования и проявления, в том числе при помощи плазмохимического травления. Установлены основные параметры оксидно-ванадиевого резиста, в частности, высокая чувствительность (~ 10 -100 мкКл/см2) и высокое разрешение (

It is shown that thin films of amorphous vanadium oxide can be used as a resist for electron-beam nanolithography. Scientific and technical basis for the processes of deposition, exposing and developing (including plasma-chemical etching) are worked out. The main parameters of the vanadium-oxide resist are established; particularly they are: high sensitivity (~ 10-100 µC/cm2) and high resolution (