Об’єктом дослідження роботи є хімічний сенсор газу на польових транзисторах на основі оксиду галію. Метою даної роботи є математичне моделювання характеристик хімічного сенсора газу на польових транзисторах на основі оксиду галію. Завданням дослідження є: - аналіз сучасних досягнень у галузі сенсорів на основі оксиду галію. - розробка аналітичної моделі сенсору газу на польовій структурі на основі оксиду галію. - комп'ютерне моделювання та аналіз отриманих результатів. У першому розділі наведено огляд літератури. Розглядається принцип роботи хімічних сенсорів газу. Розглянуто властивості, структура та синтез напівпровідникового матеріалу оксид галію, класифікацію сенсорів газу на основі оксиду галію. Наведено конструкцію польових транзисторів на основі оксид галію, зокрема для MESFET. У другому розділі наведено запропоновану аналітичну модель для моделювання характеристик сенсору газу на польовому транзисторі на основі оксиду галію. Аналітична модель побудована на основі польового транзистора (MESFET), яка враховує зміну заряду на поверхні хімічного сенсору газу на основі оксид галію. У третьому розділі наведено результати моделювання, отримані за допомогою програми у середовищі МАТЛАБ. Проаналізовано залежності вольт-амперної характеристики транзистора на основі оксиду галію та характеристики сенсору газу від різних параметрів структури.