В даній роботі було зроблено огляд сучасних сенсорів на основі кремнієвих нанониток (SiNWs). Здій-снено класифікацію таких сенсорів за методами синтезу SiNWs, принципом дії, вхідною величиною та видами модифікаторів. Було встановлено, що нанонитки для сенсорів були синтезовані переважно методом метало-стиму-льованого хімічного травлення. За принципом дії переважна більшість таких сенсорів є електричними: резистив-ного, ємнісного, електрохімічного, діодного чи транзисторного типу. Проаналізовано використання різних видів модифікаторів (наночастинок благородних металів, металоорганічних каркасних структур, вуглецевих нанотру-бок, графену, самозбірних моношарів, металевих та метало-оксидних тонких плівок) на поверхні SiNWs з точки зору технології їх синтезу, механізму дії та величини впливу на робочі характеристики приладів. Було встановлено вплив ширини, висоти та густини кремнієвих нанониток на чутливість, селективність, стабільність та швидкодію сенсорів. Визначені в даній роботі залежності можуть бути затребуваними для розробки технології виготовлення різних видів SiNWs — сенсорів високої ефективності.