В даній роботі були проведені дослідження впливу параметрів експерименту, таких як потужність розряду, тиск робочого газу, температура ростової поверхні на процес формування та основні характеристики шарів нітриду алюмінію. В результаті оптимізації вказаних параметрів одержані близькі до стехіометричного складу шари AlN, що мають кристалічну будову з гексагональною граткою типу вюрциту. Проведені дослідження структури, фазового складу та мікротвердості конденсатів, які мають найбільш близькі до стехіометричних елементні склади. Мікротвердість отриманих покриттів склала 0.760÷1.12Гпа. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36029 В данной работе проведены исследования влияния параметров эксперимента, таких как мощность разряда, давление рабочего газа , температура ростовой поверхности на процесс формирования и основные характеристики слоев нитрида алюминия. В результате оптимизации указанных параметров нами получены близкие к стехиометрическому составу слоя AlN, имеющие кристаллическое строение с гексагональной решеткой типа вюрцита. Проведенные исследования структуры, фазового состава и микротвердости конденсатов, которые имеют элементные составы наиболее близкие к стехиометрическим. Микротвердость полученных покрытий составляет 0.760 ÷ 1.12 ГПа. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36029 The influence of technological parameters,such as discharge power, working gas pressure, growth surface temperature, on the formation mechanisms and main characteristics of aluminum nitride has been investigated in the work. On the basis of optimization of the stated technological parameters, the aluminum nitride layers close to stoichiometric composition having hexagonal crystal lattice of wurtzite type have been obtained.The investigations of the structure, phase composition and microhardness have been performed for the layers with elemental composition closest to the stoichiometric one.The microhardness of the layers obtained varies from 0.760 to 1.12 GPa. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36029