Висока внутрішня мобільність носіїв, невелика заборонена зона для германію та можлива монолітна інтеграція з пристроями на основі Si спонукали відновити інтерес до германію у продовженні історичного прогресу пристроїв CMOS. Для отримання ефективних електронних пристроїв на основі германію необхідно зрозуміти дифузію домішки у цьому напівпровіднику. До цього часу, дифузія домішок n-типу в германії моделювалася, головним чином, дифузією, пропорційною квадрату концентрації вільних електронів (n). У дослідженні вивчається температурна залежність квадратичного коефіцієнта пропорційності дифузії Р від концентрації вільних електронів шляхом моделювання експериментальних профілів дифузії Р у діапазоні температур від 650 до 870 °С. Точне моделювання досягається у цьому температурному діапазоні з урахуванням квадратичної пропорційності між дифузійною рухливістю атомів фосфору та концентрацією вільних електронів. High intrinsic carrier mobility, small band gap for germanium and possible monolithic integration with Si based devices have prompted renewed interest in germanium to continue the historic progress of CMOS devices. To obtain efficient germanium-based electronic devices, it is necessary to understand the dopant diffusion in this semiconductor. Up to now, n-type dopant diffusion in germanium at most is modeled by diffusivity proportional to the square of the free electron density (n). This study determines the temperature dependence of the quadratic proportionality factor of the P diffusivity with the free electron density, through simulations of experimental P diffusion profiles in the temperature range from 650 to 870 °C. Accurate simulation is achieved within that temperature range, taking into account the quadratic proportionality between the phosphorus diffusivity and the free electron density.