Робота присвячена розробці економічно вигідної і придатної для широкомасштабного виробництва методики отримання тонких плівок сульфіду олова SnS фотовольтаїчного призначення. Шляхом сульфурізаціі в парах сірки плівок олова, електроосаджених зі стандартного розчину лудіння, були синтезовані тонкі плівки SnS з орторомбічної структурою герценбергіта. Синтезований полікристалічний матеріал SnS є електронним напівпровідником з оптимальними для використання в сонячних елементах шириною забороненої зони і коефіцієнтом оптичного поглинання. Работа посвящена разработке экономически выгодной и пригодной для широкомасштабного производства методики получения тонких пленок сульфида олова SnS фотовольтаического назначения. Тонкие пленки SnS с орторомбической структурой герценбергита были синтезированы путем сульфуризации в парах серы слоев олова, электроосажденных из стандартного раствора оловянирования. Синтезированный поликристаллический материал SnS является электронным полупроводником с шириной запрещенной зоны и коэффициентом оптического поглощения оптимальными для использования в солнечных элементах. This article is devoted to the development of cost-effective and suitable for large-scale production method for obtaining thin films of tin sulfide SnS for photovoltaic applications. Thin films of SnS with orthorhombic structure (Herzenbergite) were synthesized by sulfurization in sulfur vapor of tin films electrodeposited from a standard tinning solution. SnS synthesized polycrystalline material was an electronic semiconductor with bandgap and optical absorption coefficient optimum for utilization in solar cell.