ZVS E-sınıfı rezonans eviricide anahtar streslerinin; farklı kontrol tekniklerine, giriş gerilimine ve çıkış gücüne bağlı olarak değişmesi dayanma gerilimine karşı taşıyabilecekleri akım değeri sınırlı olan Si MOSFET’in güç anahtarı olarak kullanımını sınırlandırmaktadır. Bu sınırlandırmaya karşı Si MOSFET yerine Si IGBT ve SiC MOSFET kullanılmaktadır. Bu çalışmada on-off ve değişken on kontrollü ZVS E-sınıfı rezonans eviricilerin çalışmaları incelenmiştir. İki farklı kontrol tekniği ile kontrol edilen eviricide güç anahtarı olarak Si IGBT ve SiC MOSFET kullanılmıştır. Teorik çalışmaları doğrulamak için giriş gücü 372W olan eviriciden ve kontrol devresinden oluşan deney düzeneği kurulmuştur. Temel çalışma frekansı 24kHz olan on-off ve değişken on kontrollü E-sınıfı rezonans evirici iki farklı güç anahtarı ile ayrı ayrı test edilmiştir. Si IGBT ve SiC MOSFET'in ayrı ayrı kullanıldığı eviricide maksimum çıkış gücü sıra ile 200,77W ve 191,83W iken verim değeri sıra ile %53,93 ve %54,57’dir. On-off kontrollü eviricide minimum çıkış güç değeri 27,48W için verim %22,15 iken değişken on kontrollü eviricide minimum güç değeri 11,69W için verim %65,25’tir. Sonuç olarak on-off kontrollü eviricide azalan çıkış gücü ile evirici veriminin değişken on kontrollü eviriciye göre oldukça fazla azaldığı görülmüştür. Ayrıca her iki kontrol tekniği ile ayrı ayrı kontrol edilen eviricide güç anahtarları Si IGBT ve SiC MOSFET’in evirici verimi yönünden performanslarının birbirine oldukça yakın olduğu gözlemlenmiştir.