Исследовано электрические характеристики контактов металлов Au и Al нанесенных на выращенные ВЧ-магнетронным распылением тонкие пленки Zn1-xMnxO. Установлено, что химическая обработка поверхности перед металлизацией приводит к уменьшению удельного контактного сопротивления за счет образования тонкого приповерхностного обогащенного электронами n+-слоя, а также за счет образования на поверхности большей плотности вакансий кислорода.

Electrical characteristics of Au and Al metal contacts on the Zn1-xMnx O thin films, grown by high-frequency magnetron sputtering have been investigated. It has been established that chemical treatment before metallization leads to the decrease of specific contact resistance because of the creation of thin near-surface n+-lager, enriched by electrons as well as because of larger density of oxygen vacancies on the surface. 

Досліджено електричні характеристики контактів металів Au і Al нанесенихна вирощені ВЧ-магнетронним розпилюванням тонкі плівки Zn1-xMnxO. Встановлено, що хімічна обробка поверхні перед металізацією приводить до зменшення питомого контактного опору за рахунок утворення тонкого приповерхневого збагаченого електронами n+- шару, а також за рахунок створення на поверхні більшої густини вакансій кисню.