In this paper, we report the preparation of porous silicon powder by two-step Pd-assisted chemical etching with metallurgical grade polycrystalline silicon powder by varying the etching time from 30 to 90 minutes and solution temperature from 25 °C to 75 °C with and without thermal stabilization. A rapid temperature increase is observed with a maximum value of 95 – 100 °C in the case of etching without thermal stabilization. A high etching time of 90 minutes and a dissolution temperature above 50 °C have a negative effect on the formation of porous particles, which leads to the complete dissolution of silicon particles. The slow temperature growth for all initial temperatures in the case of the etching with thermal stabilization is observed. We established the positive effect of thermal stabilization in the process of etching on the thickness of the pores walls, reducing the uncontrollably growing rate of silicon etching, as a result, overetching of silicon.

В этой работе мы сообщаем о формировании порошка пористого кремния путем двухстадийного химического травления металлургического порошка поликристаллического кремния с использованием Pd путем изменения времени травления от 30 до 90 минут и температуры раствора от 25 до 75 ° C с термостабилизацией и без нее. Наблюдается быстрое повышение температуры с максимальным значением 95-100°C в случае травления без термостабилизации. Длительное время травления 90 минут и температура растворения выше 50°C оказывают негативное влияние на формирование пористых частиц, что приводит к их полному растворению. Наблюдается медленный рост температуры для всех начальных температур в случае травления с термостабилизацией. Показано положительное влияние термостабилизации в процессе травления на толщину стенок пор, снижающее неконтролируемо растущую скорость травления кремния, и как следствие, перетрав кремния.