The impact of proton irradiation and high magnetic field on the electroconductivity and magnetoresistance of Si1-xGex (õ = 0,03) whiskers with resistance of ρ = 0,008–0,025 Ohm∙cm in the temperature range of 4,2–300 Ê.is studied. It is fount a decreasing of resistance of the crystals in the temperature range of 4,2–40 Ê upon radiation with low dose of protons and a significant increasing of resistance in the whole temperature range examined at the irradiation dose of 1∙1017 ð+/cm2 . The interpretation of the observed changes in the physical parameters of the whiskers is proposed. 

Изучено влияние протонного облучения и сильных магнитных полей на электропроводимость и магнитосопротивление нитевидных кристаллов (НК) Si1-xGex (х = 0,03) с удельным сопротивлением ρ = 0,008–0,025 Ом∙см в интервале температур 4,2– 300 К. Обнаружено уменьшение сопротивления кристаллов в температурной области 4,2– 40 К в процессе облучения малыми дозами протонов и существенное увеличение сопротивления во всей исследуемой температурной области при облучении дозой 1∙1017 р+/см2. Предложено интерпретацию обнаруженных изменений физических параметров нитевидных кристаллов.

Вивчено вплив протонного опромінення та сильних магнітних полів на електропровідність та магнітоопір ниткоподібних кристалів (НК) Si1-xGex (х = 0,03) з питомим опором ρ = 0,008–0,025 Ом∙см в інтервалі температур 4,2–300 К. Виявлено зменшення опору кристалів у температурній області 4,2–40 К в процесі опромінення малими дозами протонів та істотне збільшення опору у всій дослідженій температурній області при опроміненні дозою 1∙1017 р+/см2. Запропоновано інтерпретацію виявлених змін фізичних параметрів ниткоподібних кристалів.