Гексагональный нитрид бора (h-BN) интересен потенциалом применения в электронике и, в частности, в создании однофотонных источников. В данной работе изучаются некоторые свойства дефектов, а именно вакансии бора (VB) и вакансии азота с антиструктурным дефектом (NBVN) в различных зарядовых состояниях. Рассчитываются методом функционала плотности (DFT) энергии образования дефектов, оцениваются вероятности переходов между ними и вычисляются необходимые для трансформации температуры отжига h-BN.