Цель статьи: В статье поставлена задача установить закономерности влияния внешних воздействий (тепловых и электрических) на активацию доменных границ в сегнетоэлектрических материалах кислородно-октаэдрического типа со структурой перовскита, которые имеют широкое применение в устройствах электронной техники. Одной из проблем при этом является устойчивость доменных границ по отношению к внешним воздействиям. Исходя из этого, целью статьи является определение энергии активации необратимого движения доменных границ при переключении поляризации сегнетоэлектрика электрическим полем в широком интервале температур. Экспериментальная часть: Определено значение критической энергии Wmax взаимодействия сегнетоэлектрических доменов с внешним электрическим полем, необходимой для необратимого изменения доменной структуры сегнетоэлектрика в различных тепловых условиях. Для этого проведен анализ петель диэлектрического гистерезиса P(E) образцов, полученных при различных температурах. В качестве объектов исследования выбраны сегнетоэлектрические материалы со структурой перовскита кислородно-октаэдрического типа: сверхрешетка BaZrO3/BaTiO3, пленки Pb(Zr0.3Ti0.7)O3, керамика (Pb0.96Sr0.04(Mg1/3Nb2/3)0.275(Ni1/3Nb2/3)0.1Ti0.375Zr0.25O3 и керамика Pb0.88Ba0.06Sr0.06(Mg1/3Nb2/3)0.37Zr0.375Ti0.255O3). Выводы: Определены температурные зависимости критической энергии Wmax взаимодействия сегнетоэлектрических доменов с внешним электрическим полем, необходимой для необратимого изменения доменной структуры сегнетоэлектрика. Обосновано предположение, что энергия Wmax имеет смысл энергии активации доменной структуры сегнетоэлектрика при переключении поляризации электрическим полем, необходимой для необратимого изменения его доменной структуры. Установлено, что критическая энергия Wmax снижается по линейному закону с ростом температуры в широком интервале температур, лежащем ниже точки Кюри. Полученные результатыимеют научную и практическую ценность, т. к. позволяют определять условия устойчивости доменной структуры сегнетоэлектрика к внешним воздействиям и расширяют возможности применения метода Сойера–Тауэра для определения энергий активации необратимого изменения доменной сегнетоэлектрической структуры