В роботі проведено детальний аналіз сучасних мікромініатюрних датчиків тиску виконаних на різноманітних діодних структурах. Показані можливі області застосування таких датчиків, їх головні переваги та недоліки. Проведено дослідження діодних гетероструктур на основі CdS / ZnS / CuS / CdTe та показано перспективність використання датчиків тиску на основі цих матеріалів в якості аналогу існуючих напівпровідникових приладів. На основі проведених експериментальних досліджень обґрунтовано, що ці структури є п’єзоелектричними. Наведені конструктивні схеми досліджених структур та їх вольт-амперні характеристики. Описані можливі області застосування таких структур. Надані конструктивні схеми та параметри отриманих діодних структур можуть бути цікавими для широкого кола фахівців в області сенсорної техніки та автоматизації різноманітних технологічних процесів виготовлення мікроелектронної апаратури. Показано, змінюючи технології виготовлення датчиків та концентрацію хімічних елементів в отриманих плівках можна змінювати чутливість датчика та динамічний діапазон його роботи, пристосовуючи параметри датчика до галузі його застосування в відповідній вимірювальній електронній апаратурі та в системах контролю тиску.