S.I.Procenko, V.VTokman`, A.M.Chomous Formation of multilayer films structures with a negative thermal resistance coefficient and enlarged coefficient of tensosensibility. ExpcrimcntaJ results of temperature dependence of a thermal resistance coefficient TCR of film systems on a basis Ti, Ni and Cr, Ge represented. The negative value TCR of Ti films connected with absorbed of layer Ti of impurity gases from a residue atmosphere, and in second case, most likely, with processes of recrystalMzation in Ge film and interaction between atoms Ge and Cr. Effect of tensosensibility in single and three-layer films is studied. Received difference is connected with scattering of electron on boundary of separate layers. Представлены экспериментальные результаты исследования температурной зависимости термического коэффициента сопротивления (ТКС) пленочных систем на основе Ti, Ni и Cr, Ge. Отрицательное значение ТКС в первом случае связано с поглощением слоем Ti из остаточной атмосферы примесных газов, а во втором, скорее всего, с рекристаллизационными процессами в пленке Ge и взаимодействием между атомами Ge и Cr. Изучен тензорезистивный эффект в пленках на основе Cr, Ge и Cr, Sc. Проведено сравнение коэффициента продольной тензочувствительности однослойных и трехслойных пленок. Полученное отличие связано с вкладом а тензоэффект рассеивания электронов на границе раздела слоев При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/819