publication . Article . 2016

NUMERICAL SIMULATION OF ELECTRIC CHARACTERISTICS OF DEEP SUBMICRON SILICON-ON-INSULATOR MOS TRANSISTOR

A. V. Borzdov; Vladimir Borzdov; N. N. Dorozhkin;
Open Access
  • Published: 01 Sep 2016 Journal: Devices and Methods of Measurements, volume 7, pages 161-168 (issn: 2220-9506, eissn: 2414-0473, Copyright policy)
  • Publisher: Belarusian National Technical University
  • Country: Belarus
Abstract
На сегодняшний день субмикронные МОП-транзисторные структуры кремний-на-изоляторе (КНИ) широко используются в различных электронных устройствах, а также могут применяться в качестве сенсорных элементов. Разработка приборов с заданными характеристиками на основе этих структур невозможна без компьютерного моделирования их электрических свойств. Для глубокосубмикронных транзисторных структур это весьма трудная задача, поскольку необходимо учитывать многие сложные физические процессы и эффекты, имеющие место в полупроводниковом приборе. В настоящей работе многочастичным методом Монте-Карло проведено моделирование переноса электронов и дырок в глубокосубмикронном n-к...
Persistent Identifiers
Subjects
free text keywords: КНИ-МОП-транзистор, Метод Монте-Карло - моделирование, Ударная ионизация, КНИ-МОП-ТРАНЗИСТОР,МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО,УДАРНАЯ ИОНИЗАЦИЯ, soi mosfet, monte carlo simulation, impact ionization, MOSFET, Avalanche breakdown, Transistor, law.invention, law, Optoelectronics, business.industry, business, Silicon on insulator, Monte Carlo method, Engineering, Electronic component, visual_art.visual_art_medium, visual_art, Computer simulation, Impact ionization, Electronic engineering, lcsh:Engineering (General). Civil engineering (General), lcsh:TA1-2040
Related Organizations
Any information missing or wrong?Report an Issue