Grain-boundary (GB) EBIC is an alternative EBIC geometry without a Schottky contact or p–n junction but with ohmic contacts on either side of a GB which itself acts as a charge collecting plane. The basic properties of the GB EBIC signal in the short-circuit mode and with application of an external bias are presented. From the measurement of local current–voltage characteristics of the GB for different beam currents the change of the local barrier height with increasing injection level can be deduced. The measured recombination behaviour can be described by an electronic GB model with a double depletion layer and deep interface states in a detail balance approach. This EBIC mode is applied to grain boundaries in solar cell silicon. Significant variations of the local recombination behavior along a single GB are observed. Korngrenzen-EBIC (KG EBIC) ist eine alternative EBIC-Geometrie ohne Schottky-Kontakt oder pn-Ubergang mit ohmschen Kontakten beiderseits einer Korngrenze (KG), die selbst als ladungssammelnde Ebene wirkt. Es wird uber die Eigenschaften des KG-EBIC-Signals im Kurzschlus-Modus und mit angelegter Spannung berichtet. Die Messung lokaler Strom-Spannungs-Kennlinien bei verschiedenen Strahlstromen liefert die lokale Abhangigkeit der KG-Barrierenhohe von der Anregungsdichte. Das gemessene Rekombinationsverhalten kann durch ein elektronisches KG-Modell mit doppelter Verarmungszone und tiefen Grenzflachenzustanden beschrieben werden. Dieser EBIC-Modus wird auf KG'n in Solarsilizium angewendet. Es werden signifikante Variationen des Rekombinationsverhaltens entlang einzelner KG'n beobachtet.