В рамках концепції «знизу–вгору», що широко застосовується в теоретичній і прикладній наноелектроніці, дано огляд загальних питань електронної провідності, причин виникнення струму та ролі електрохімічних потенціалів і фермівських функцій в цьому процесі, моделі пружного резистора, балістичного і дифузійного транспорту, мод провідності, провідників n- і p-типу та графену, обґрунтовано альтернативне формулювання закону Ома.

В рамках концепции «снизу–вверх», широко применяемой в теоретической и прикладной наноэлектронике, дан обзор общих вопросов электронной проводимости, причин возникновения тока и роли электрохимических потенциалов и фермиевских функций в этом процессе, модели упругого резистора, баллистического и диффузионного транспорта, мод проводимости, проводников n- и p-типа и графена и обоснована новая формулировка закона Ома.

General questions of electronic conductivity, current generation based on the use of electrochemical роtentials and Fermi functions, elastic resistor model, ballistic and diffusion transport, conductivity modes, n- and p-conductors and graphene, new formulation of Ohm's law are ower-viewed in the frame of «bottom–up» арproach, widely applied in modern nanoelectronics.