publication . Doctoral thesis . 2007

Theory and validation for modeling bipolar power semiconductors in the temperature range from 100K to 400K

Schlögl, Andreas E.;
Open Access German
  • Published: 18 Jun 2007
  • Publisher: Technical University of Munich
  • Country: Germany
Abstract
Theoretische Grundlagen zur temperaturabhängigen Modellbildung bipolarer Leistungshalbleiter wurden untersucht, optimiert und validiert. Basierend auf der neuen Formulierung von Trägerbeweglichkeiten nach Mnatsakanov wurde eine neue Kontinuitätsgleichung zur Beschreibung des bipolaren Stromtransports in schwach dotierten Driftzonen hergeleitet und charakterisiert. Ein vollständiges Leistungsdioden-Modell wurde erstellt. Zur temperaturabhängigen Validierung wurden experimentelle Techniken entwickelt, durch erstmalige Messungen (IR-Absorption) bauelemente-interner Trägerkonzentrationen zwischen 100K und 400K konnte eine Inkonsistenz der bisherigen Standardtheorie ...
Subjects
free text keywords: electron hole scattering;absorption;optical;infrared;validation, Ingenieurswissenschaften, ddc:620
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Doctoral thesis . 2007
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[1] Analogy, Inc.: The SaberGuide and SaberScope Manual, Release 4.0. Registered in England No. 2372734, Registered O±ce: Aldwych House, Aldwych, London WC2B 4JP, 1995.

[2] Arora, Narain D., John R. Hauser und David J. Roulston: Electron and hole mobilities as a function of concentration and temperature. IEEE Trans. on Electron Devices, 29(2):292{95, Febr. 1982.

[3] Ashcroft, N.W. und N.D. Mermin: Solid State Physics. Sounders College, Philadelphia, 1. Au°age, 1976.

[4] Askerov, B.M.: Electron Transport Phenomena in Semiconductors. World Scienti¯c Publishing, Singapore, New Jersey, London, Hongkong, 1. Au°age, 1994.

[5] Aw, S. E., H. S. Tan und C. K. Ong: Optical absorption measurements of band{ gap shrinkage in moderately and heavily doped silicon. J. Phys.: Condens. Matter, 3:8213{23, 1991.

[6] Bednorz, K. und J. Mueller: Possible high temperature superconductivity in BaLaCuO. Z.Phys., 64:189, September 1986.

[7] Bennett, Herbert S.: Heavy doping e®ects on bandgaps, e®ective intrinsic carrier concentrations and carrier mobilities and lifetimes. Solid{State Electron, 28(1):193{ 200, 1985.

[8] Bennett, Herbert S. und Charles L. Wilson: Statistical comparisons of data on band{gap narrowing in heavily doped silicon: Electrical and optical measurements. J. Appl. Phys., 55(10):3582{87, may 1984.

[9] Blakemore, J.S.: Solid State Physics. Cambridge University Press, Cambridge, New York, New Rochelle, Melbourne, Sidney, 2. Auflage, 1988.

[10] Bludau, W., A. Onton und W. Heinke: Temperature dependence of the band gap in silicon. J. Appl. Phys, 45(4):1846{48, April 1974.

[11] Bronstein, I.N. und K.A. Semendjajew: Taschenbuch der Mathematik. HarriDeutsch, Thun und Frankfurt/Main, 19. Au°age, 1981.

[12] Buckel, W.: Supraleitung. VCH, Weinheim, 4. Auflage, 1990.

[13] Bullis, W.M.: Properties of gold in silicon. Solid{State Electron., 9:143, 1966.

[14] Burden, R.L., J.D. Faires und A.C. Reynolds: Numerical Analysis. Prindle, Weber & and Schmidt, Boston, Mass., 3. Auflage, 1985.

[15] Caughey, D. und R. Thomas: Carrier mobilities in silicon empirically related to doping and ¯eld. IEEE Proc., Seiten 2192{93, 1967.

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