publication . Doctoral thesis . 2012

Steps towards a GaN nanowire based light emitting diode and its integration with Si-MOS technology

Limbach, Friederich;
Open Access English
  • Published: 07 Aug 2012
  • Publisher: Humboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät I
  • Country: Germany
Abstract
In dieser Arbeit wird die Machbarkeit der Herstellung von Leuchtdioden Strukturen (LEDs) in einzelnen GaN Nanodrähten (ND) und deren Integration mit herkömmlicher Si Technologie untersucht. Hierzu wird zunächst ein generelles Verständnis des Wachstums von GaN ND erarbeitet und dargestellt. Es folgen Untersuchungen zum Einfluss von Dotierstoffen, wie z.B. Mg und Si, auf das Wachstum der ND. Dieses Wissen wird anschließend angewandt um Dotierübergänge in GaN ND herzustellen die nominell n-i-p bzw. p-i-n dotiert sind. Diese Untersuchung brachte die technologisch wichtige Erkenntnis, dass eine p-Dotierung mit Mg am besten erreicht werden kann wenn die ND bereits woh...
Subjects
free text keywords: GaN, MBE, Nanodrähte, LED, nanowires, 530 Physik, 29 Physik, Astronomie, ZN 3700, ZN 5040, ddc:530
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