The technological regimes of preparation were deter-mined, and ZnIn2S4 thin films were prepared on various orienting and nonorienting substrates ndash; glass, fused silica, vitroceramics, glass covered with SnO2 transparent conductive layers, copper and steel plates, and mica ndash; using the close-spaced vacuum sublimation method. The technological regimes of preparation of thin films of one- and three-packet polytype modifications of ZnIn2S4 I, III on glass substrates were found out. The films of the crystallite orientation with 0001 plane parallel to the substrate were obtained. The microstructure of the films was studied for various deposition regimes. The spectra of optical absorption and photoluminescence excitation were analyzed. It was shown that the parameters of the obtained thin films are close to those of ZnIn2S4 single crystals.

Подобраны технологические условия и методом осаждения в квазизамкнутом объеме получены тонкие слои соединения ZnIn2S4 на неориентирующих и ориентирующих подложках из различных материалов: стекло, плавленый кварц, ситалл, прозрачные проводящие слои SnO2 на стекле, пластины из меди и стали, слюда. На стеклянных подложках получены тонкие слои одно- и трехпакетных политипных модификаций соединения ZnIn2S4 I, III с плоскостью кристаллитов 0001 параллельной подложке. Изучена микроструктура пленок, полученных при разных режимах осаждения. Исследованы спектры оптического поглощения и возбуждения фотолюминесценции. Показано, что параметры слоев и монокристаллов близки.