publication . Doctoral thesis . 2018

Simulación y modelado de transistores MOS de doble puerta

Cartujo Cassinello, Pedro;
Open Access Spanish; Castilian
  • Published: 03 Sep 2018
  • Publisher: Granada
  • Country: Spain
Abstract
En este trabajo se hace un estudio del transistor MOS de doble puerta analizando las posibles ventajas de esta nueva estructura frene al transistor convencional y el transistor MOS SOI de puerta simple. Para ello se ha analizado una sección transversal de un transistor MOS de doble puerta de canal N, con el fin de examinar detalladamente las peculiaridades de la distribución de electrones con una amplia variedad de valores de todos los parámentros tecnológicos y condiciones de operación, y se ha estudiado las propiedades de trasnporte en el canal. Para las obtención de la distribución de electrones, se ha resuelto autoconsistentemente las ecuaciones de Poisson y...
Subjects
free text keywords: Transistores, Semiconductores, 621.38, 33
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Simulación y modelado de transistores MOS de doble puerta

Cartujo Cassinello, Pedro;