Simulación y modelado de transistores MOS de doble puerta

Doctoral thesis Spanish; Castilian OPEN
Cartujo Cassinello, Pedro (2000)
  • Publisher: Granada
  • Subject: Transistores | Semiconductores | 621.38 | 33

En este trabajo se hace un estudio del transistor MOS de doble puerta analizando las posibles ventajas de esta nueva estructura frene al transistor convencional y el transistor MOS SOI de puerta simple. Para ello se ha analizado una sección transversal de un transistor ... View more
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