publication . Other literature type . Article . Doctoral thesis . 2017 . Embargo end date: 16 Feb 2017

Surface Effects in Segmented Silicon Sensors

null J. Schwandt; E. Fretwurst; E. Garutti; R. Klanner; I. Kopsalis;
English
  • Published: 01 Jan 2017
  • Publisher: Deutsches Elektronen-Synchrotron, DESY, Hamburg
  • Country: Germany
Abstract
Siliziumdetektoren fur die Forschung mit Photonen und fur die Teilchenphysik benotigen Siliziumsensoren, die sehr hohe Anforderungen erfullen mussen. Neue Beschleuniger, wie der European X-ray Free-Electron Laser (EuXFEL) und das High Luminosity-Upgrade des Large Hadron Collider (HL-LHC), stellen insbesondere im Hinblick auf Strahlungsharte neue Herausforderungen fur Siliziumsensoren dar. Hohe Strahlungsdosen und -flusse schadigen den Siliziumkristall sowie die SiO2-Schichten an der Oberflache, wodurch sich die Sensoreigenschaften andern und ihre Lebensdauer beschrankt wird. Nicht-ionisierender Energieverlust (NIEL) der einfallenden Teilchen verursacht Schaden i...
Subjects
free text keywords: Analytical chemistry, MOSFET, Optics, business.industry, business, Threshold voltage, Optoelectronics, Physics, Silicon, chemistry.chemical_element, chemistry, Electron mobility, Charge density, Irradiation, Radiation damage, Monocrystalline silicon
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