Multiplexeurs numériques haut débit sur arséniure de gallium pour des applications au-delà de 1,5 Gbit/s

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Kamdem , J.; Le Rouzic , M.; Thébault , C.;
(1988)
  • Publisher: HAL CCSD
  • Related identifiers: doi: 10.1051/rphysap:019880023070122900
  • Subject: GaAs multiplexers | gallium arsenide | high speed MSI IC | integrated logic circuits | 1.9 Gbit s | Johnson counters | Thomson DAG foundry process | [ PHYS.HIST ] Physics [physics]/Physics archives | maximum multiplexing frequencies | 1 W | time domain nonlinear analysis | III V semiconductors | power consumption | 1 micron | MESFET technology | loop transit time | design method | complementary clocked master slave flip flops | field effect integrated circuits | BFL logic family | gate length | large scale integration | multiplexing equipment | 1.3 to 2 GHz

Deux types de circuits intégrés GaAs de multiplexage haut débit (multiplexeurs à rang fixe et à rang programmable sur 2, 3 ou 4 entrées), capables de fournir des débits numériques jusqu'à 1,9 Gbit/s, ont été conçus et réalisés en logique BFL à grille de 1 μm. On présent... View more
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    19 references, page 1 of 2

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