Technologie FeRAM : fiabilité et mécanismes de défaillance de condensateurs ferroélectriques élémentaires et intégrés

Doctoral thesis French OPEN
Menou , Nicolas (2004)
  • Publisher: HAL CCSD
  • Subject: [ PHYS.PHYS ] Physics [physics]/Physics [physics] | Mémoire ferroélectrique FeRAM | Analyse microstructurale | SBT | 3D capacitor | Fiabilité | Reliability | Imprint | Condensateur 3D | PZT | Ferroelectric memory | Fatigue | FeRAM | [PHYS.PHYS]Physics [physics]/Physics [physics] | Microstructural analysis | Irradiation X | X-ray irradiation | [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat] | [ PHYS.COND ] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]

Mr J-P. Nozières, Directeur de recherche, CEA – Grenoble, Président Mr D.J. Wouters, Docteur, Goup Leader Ferroelectrics, IMEC – Louvain, Rapporteur Mr W. Paulus, Professeur, l'Université de Rennes 1, Rapporteur Mr J-L. Autran, Professeur, Institut Universitaire de Fran... View more
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