publication . Doctoral thesis . 2004

Technologie FeRAM : fiabilité et mécanismes de défaillance de condensateurs ferroélectriques élémentaires et intégrés

Menou, Nicolas;
Open Access French
  • Published: 10 Dec 2004
  • Publisher: HAL CCSD
Abstract
Mr J-P. Nozières, Directeur de recherche, CEA – Grenoble, Président Mr D.J. Wouters, Docteur, Goup Leader Ferroelectrics, IMEC – Louvain, Rapporteur Mr W. Paulus, Professeur, l'Université de Rennes 1, Rapporteur Mr J-L. Autran, Professeur, Institut Universitaire de France, Examinateur Mr D. Save, Docteur, Gemplus – La Ciotat, Examinateur Mr Ch. Muller, Professeur, Université du Sud Toulon – Var, Examinateur Mr F. Fily, Director European FRAM center, Fujitsu – Paris,Invité; The industrial development of the FeRAM technology (providing non volatility, fast access and low power consumption) is still limited by the reliability of the integrated ferroelectric capacit...
Subjects
free text keywords: [ PHYS.PHYS ] Physics [physics]/Physics [physics], Mémoire ferroélectrique FeRAM, Analyse microstructurale, SBT, 3D capacitor, Fiabilité, Reliability, Imprint, Condensateur 3D, PZT, Ferroelectric memory, Fatigue, FeRAM, [PHYS.PHYS]Physics [physics]/Physics [physics], Microstructural analysis, Irradiation X, X-ray irradiation, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [ PHYS.COND ] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]
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1.2.2 Mécanismes de défaillance 1.2.2.1 Fatigue 1.2.2.1.1 Quelle est la manifestation de la fatigue ? 1.2.2.1.2 Modèles physiques à l'origine de la fatigue 1.2.2.2 Imprint 1.2.2.2.1 Comment se manifeste le phénomène d'imprint ? 1.2.2.2.2 Modèles physiques à l'origine de l'imprint 1.2.2.3 Rétention

2.1.4 Influence de l'irradiation X sur la structure en domaines 2.1.4.1 Impact de l'état de polarisation : expérience ex situ 2.1.4.1.1 Etats de polarisation rémanents 2.1.4.1.2 Etat non polarisé 2.1.4.1.3 Discussion des modèles 2.1.4.1.4 Conclusion 2.1.4.2 Dégradation et restauration des propriétés de switching sous irradiation : expérience in situ 2.1.4.2.1 Cinétique de dégradation sous irradiation 2.1.4.2.2 Restauration de la polarisation par cyclage sous irradiation 2.1.4.3 Conclusion

2.1.5 Bilan de l'étude des films minces de SBT Technologie FeRAM : état de l'art..................................................................................... 3 Vers une mémoire universelle ? ...................................................................................................... 3 Mémoire ferroélectrique : principe de fonctionnement, avantages et limitations............................ 4 Conclusion : développement de la FeRAM dans l'industrie microélectronique ........................... 14 Fiabilité du matériau ferroélectrique ............................................................................... 15 La ferroélectricité à l'ère des mémoires ........................................................................................ 15 Mécanismes de défaillance............................................................................................................ 29 Une approche “bottom-up”............................................................................................... 36 1.1 Achard, H., Macé, H. & Peccoud, L., Microelectronic Engineering 29 (1995) 19.

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Technologie FeRAM : fiabilité et mécanismes de défaillance de condensateurs ferroélectriques élémentaires et intégrés

Menou, Nicolas;