Формирование границ раздела полупроводник-сера-переходный металл

Article Russian OPEN
Безносюк, С.А.; Фомина, Л.В.;
(2018)

Thermodynamic calculations were carried out under standard conditions of chemical reactions occurring during the sulfide passivation of the surface of elementary semiconductors (Si, Ge), gallium, indium, aluminum (GaN, InN, AlN) nitrides. The sulphide passivation of alu... View more
  • References (12)
    12 references, page 1 of 2

    Выполненные в работе термодинамические рас- четы для окисленной и свободной от оксидов по- верхностей GaN, InN теоретически обосновывают направление реакций, протекающих в водной среде при сульфидной обработке этих полупроводников. Водные растворы сульфидов не позволят с термоди- намической точки зрения получить сульфидное по- крытие для AlN и Si (реакц. 2, табл. 1 и реакц. 1.7, табл. 3). Из-за нехватки данных для оксидов и сульфидов германия не удалось рассчитать изменение энергии

    1. Макогон Ю.Н., Сидоренко С.И., Павлова Е.П. и др. Формирование эпитаксиальных пленок CoSi2 на моно- кристаллическом кремнии : тезисы докладов международ- ной конференции HighMatTech-2007/ под ред. В.В. Скоро- хода. - Киев, 2007.

    3. Кузнецов Е.В., Шемякин А.В. Мощные СВЧ LDMOSтранзисторы для беспроводных технологий передачи дан- ных // Известия вузов. Электроника. - 2009. -№ 6 (80).

    4. Гаврилов С.А., Громов Д.Г., Жигальский Г.П. и др. Ис- следование шума вида 1/f в наноразмерных пленках золота // Известия вузов. Электроника. - 2009. - № 6 (80).

    5. Агеев О.А. Термодинамический анализ твердофаз- ных взаимодействий в контактах Ni/SiC // Известия вузов. Электроника. - 2005. - № 1.

    9. Минаев В.В., Уздовский В.В., Сондаевский Р.В. и др. Исследование спектральных характеристик фотоприем- ников с барьером Шоттки на основе р-Si-Au // Известия вузов. Электроника. - 2005. - № 1.

    11. Пихтин А.Н., Тарасов С.А., Kloth B. Новое значе- ние высоты потенциального барьера Ag-n-GaP // Письма в ЖТФ. - 2002. - Т. 28. - № 20.

    12. Matukas J., Meskinis S., Smetona S., “Low frequency noise in selenium passivated GaAs and InP Schottky contacts” // Proc. of 15th International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, ed. by C. Surya. - Hong Kong, 1999.

    18. Ботнарюк В.М., Жиляев Ю.В., Коненкова Е.В. Суль- фидная пассивация силовых GaAs-диодов // Физика и тех- ника полупроводников. - 1999. - T. 33. - № 6.

    19. Сумец М.П. Электронные процессы на гетерогра- нице Ga2Se3-GaAs, сформированные обработкой GaAs в парах селена : автореф. … канд. физ.-мат. наук. - Воро- неж, 1999.

  • Related Organizations (5)
  • Metrics
Share - Bookmark