Numerical Solution of Charge Transfer Problem in a 2D Silicon MOSFET Transistor

Article Russian OPEN
Шевченко, А.С.;
(2017)

Рассмотрена недавно предложенная гидродинамическая MEP-модель, представляющая собой квазилинейную систему уравнений, записанных в форме законов сохранения. Эти законы сохранения получены из системы моментных соотношений для уравнения переноса Больцмана. При этом для зам... View more
  • References (6)

    Полученные стационарные решения строим с по- мощью математического пакета Mathematica. На ри- сунке 2 представлены стационарные решения для электрического потенциала, энергии электронов. Результаты получены при следующих параметрах: VD = 0.36V , VG = 0.36V , B = 0, δ = 0.8, ly = 20nm, N = 30, K = 40, ε =10−5.

    1. Anile A.M., Romano V. Non parabolic band transport in semiconductors: closure of the moment equations // Cont. Mech. Thermodyn. - 1999. - V. 11.

    2. Romano V. 2D simulation of a silicon MESFET with a non-parabolic hydrodynamical model based on the maximum entropy principle // J. Comp. Phys. - 2002. - V. 176.

    3. Romano V. 2D Numerical Simulation of the MEP Energy - Transport Model with a Finite Difference Scheme // J. Comp. Fhys. - 2007. - V. 221.

    4. Lab C., Caussignac P. An energy-transport model for semiconductor heterostructure devices: application to AlGaAs/ GaAs MODFETs // COMPEL. - 1999. - V. 18, № 1.

    6. Блохин А.М., Ибрагимова А.С. К вопросу о вычис- лении электрического потенциала для 2D кремниевого транзистора с наноканалом из оксида кремния // Матема- тическое моделирование. - 2010. - Т. 22, № 9.

  • Metrics
Share - Bookmark